2014年10月5日日曜日

トランジスタ技術の記事が韓国雑誌に転載!


以前、トランジスタ技術に掲載されたSiCインバータの記事が韓国の技術雑誌「電子技術」に転載されました。



記事情報は下記です。

 山本真義,実験研究! 超高速・超高効率パワー素子 SiC MOSFET,トランジスタ技術, CQ出版,No.4, pp. 169-176 (2013年)

嬉しくて、中身を確認しましたが、全てハングル語・・・。
自分が書いた記事ながら、内容はサッパリでしたが(笑)、海を越えた人達のお役に立てれば嬉しいです。

ちなみに、トランジスタ技術の記事を今も書いておりまして、締切がもうすぐです。
9月末の他雑誌の締切が3件ありましたが、息をつく暇がありません。

最近は年中、色々な雑誌の解説記事を書いている気がします。(笑)

今週は、出雲高校に行って、隠岐に飛行機で飛んで、企業様対応が3件あります。
頑張って参ります!


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