本日（３月９日）発売のトランジスタ技術４月号に、技術記事が掲載されました。
下記、目次です。
トランジスタ技術（２０１３年４月号）目次
表題は「実験研究! 超高速・超高効率パワー素子 SiC MOSFET」です。
プロの方はキャッチーな表題を付けるのが上手ですね。（笑）
内容は、フルSiCインバータで2kWの誘導機を回した実験結果についてです。
今回使用しているSiCパッケージ（SiC MOS-FET＋SBD）は、通常のIGBTと違い、少し使用に注意が必要です。
その注意点を洗い出し、対策も紹介しています。
コツをつかめば、10kWクラスまでのインバータなら、通常のIGBTに比べて非常に高い効率が得られます。
是非、お買い求め頂き、感想等、お聞かせ頂ければ喜びます。
今後もこの雑誌に、若いエンジニアの皆さんのための、分かりやすい記事を執筆していく予定です。
お楽しみに！
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