２月２３日に急進展するＧａＮパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開という講習会で講演をします。
企画は日本技術情報センター様で、開催案内は以下の通り。
開催日時：２月２３日（木） ９：００〜１７：００
開催場所：メディアボックス会議室（東京都新宿区西新宿1-9-18）
主催：日本技術情報センター（ＴＥＬ 03-3374-4355 ホームページ http://www.j-tic.co.jp）
次世代型ワイドバンドギャップパワー半導体素子として、SiC（炭化ケイ素）とGaN（窒化ガリウム）をベースとした素子の開発が進んでいますが、素子単体に対する開発事例は多くありますが、特にGaNに関しては実際のパワーコンバータへ応用した事例がほとんどありません。
私達の研究室では、主に家電やEV用バッテリー充電器に使われるPFCコンバータ＋絶縁型DC-DCコンバータの融合システムに対して、その両方共にGaNデバイスを適用、評価を行っており、それらの事例について紹介します。
また、ノーマリオフ型GaNスイッチングデバイスは、従来のSi系スイッチングデバイス用ゲート駆動回路では、駆動することができません。
その使用方法の注意点と、新しいGaNスイッチングデバイス用ゲート駆動回路をいくつか紹介し、それぞれの長所と短所について、包み隠さずお話します。
さらに、これまでGaNデバイスとSiCデバイスを取り扱ってきた経験から、それぞれのデバイスに合った具体的なアプリケーションを掲示し、GaNデバイスは、この先、どの方向のアプリケーションを狙えば良いのか、という戦略面についてもお話します。
ご興味のある方は、是非、ご参加下さいませ。
（一般の方にとっては、訳の分からない内容で、申し訳ございません・・・）
パワエレ研に是非、応援のクリックを！
↓
