４月１９日にＧａＮ/ＳｉＣデバイスを用いたパワーエレクトロニクス機器設計の基礎技術と開発事例及び今後の展開という講習会で講演をします。
企画は日本技術情報センター様で、開催案内は以下の通り。
開催日時：４月１９日（木） １０：１５〜１７：００
開催場所：メディアボックス会議室（東京都新宿区西新宿1-9-18）
主催：日本技術情報センター（ＴＥＬ 03-3374-4355 ホームページ http://www.j-tic.co.jp）
今回は、パワー半導体デバイスの基礎コースです。
パワー半導体デバイスの歴史、基本的なシリコン系パワーデバイスであるMOS-FETやIGBTの基本構造についてお話しします。
また、それらの具体的な使用方法、そして実際の電源等へどうやって使うのか、というところまで、実際の電源装置を例に解説致します。
企業の方々で、会社では教育になかなか時間が割けない、という皆様に、パワー半導体デバイスについて一から分かりやすくお教えします。
パワー半導体デバイスについて、あまり馴染みが無かった人でも、一日でいっぱしに使える様にして差し上げます。
そして、さらに次世代型パワーデバイスであるSiC（炭化シリコン）やGaN（窒化ガリウム）ベースのデバイスについても、使える様になれます。
一日で、パワー半導体の素人から開発室のエースに！（笑）
ご期待下さい。
（次の日には、応用分野のGaNの話を同じ会社の講演会でします。日本技術情報センターのHPをご参照下さい。）
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