以前、トランジスタ技術に掲載されたSiCインバータの記事が韓国の技術雑誌「電子技術」に転載されました。
記事情報は下記です。
山本真義，実験研究! 超高速・超高効率パワー素子 SiC MOSFET，トランジスタ技術, CQ出版，No.4, pp. 169-176 (2013年)
嬉しくて、中身を確認しましたが、全てハングル語・・・。
自分が書いた記事ながら、内容はサッパリでしたが（笑）、海を越えた人達のお役に立てれば嬉しいです。
ちなみに、トランジスタ技術の記事を今も書いておりまして、締切がもうすぐです。
９月末の他雑誌の締切が３件ありましたが、息をつく暇がありません。
最近は年中、色々な雑誌の解説記事を書いている気がします。（笑）
今週は、出雲高校に行って、隠岐に飛行機で飛んで、企業様対応が３件あります。
頑張って参ります！
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